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科研团队实现埃米级原子滑移，撬动千万倍电阻变化
📋总体概括
中国科学院半导体研究所团队在二维范德华异质结界面工程上取得突破，利用0.1纳米尺度的原子层滑移实现千万倍电阻变化，攻克了滑移铁电隧穿结高开关比与高耐久性难以兼顾的难题。该成果9月11日发表于《科学》，未来若解决大规模阵列与配套电路问题，有望用于手机、电脑终端，以更快速度、更低功耗支撑存算一体架构，缓解算力与功耗矛盾。
⚡关键信息
- ▸中科院半导体所通过二维范德华异质结界面工程实现埃米级（0.1纳米）原子滑移调控电阻
- ▸该滑移可撬动千万倍电阻变化，即开关比达千万量级
- ▸成果攻克滑移铁电隧穿结高开关比与高耐久性难以兼顾的行业难题
- ▸论文于9月11日发表于国际期刊《科学》
- ▸器件有望应用于存算一体架构及手机、电脑终端存储运算
🔥犀利点评
千万倍开关比加埃米级滑移，这是冲着MRAM和闪存的命门去的——存算一体的最大瓶颈之一就是存储器件的开关比与耐久性，这次是实打实发在《科学》的硬成果。但泼盆冷水：从单个隧穿结到大规模阵列，中间隔着良率、均一性、CMOS集成三座大山，二维材料器件死在这一步的先例不少。别急着畅想手机革命，先看国内团队能不能把晶圆级制备做出来。
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