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阿斯麦赢得台积电和三星承诺 新一代EUV光刻机获强力“护航”
📋总体概括
阿斯麦9月8日连发三则公告，宣布与台积电、三星、英特尔共同推进下一代高数值孔径（High NA）EUV光刻技术。台积电计划2030年起用于先进制程量产，三星拟在2028年前将High NA首次用于DRAM量产，英特尔已处理超100万片相关晶圆。三星称合作将推动12英寸光掩模取代沿用几十年的6英寸格式，以解决现有设备曝光面积上限问题，支撑英伟达等设计的大型数据中心芯片制造。
⚡关键信息
- ▸阿斯麦9月8日发布三条公告，分别与台积电、三星电子、英特尔推进High NA EUV技术应用
- ▸台积电计划自2030年起将High NA用于先进制程大规模生产
- ▸三星计划2028年前首次将High NA EUV用于DRAM大规模生产
- ▸英特尔表示已处理超过100万片采用High NA EUV相关技术的晶圆
- ▸现役EUV单次曝光面积约800平方毫米，已达英伟达、谷歌等大芯片的设计极限
🔥犀利点评
三巨头同时站台，本质是给阿斯麦的天价High NA设备买保险——没有客户承诺，这条烧钱的技术路线随时可能断粮。值得玩味的是时间表：台积电押注2030年量产，说明它判断传统EUV多重曝光还能再撑几代；而抢跑DRAM的三星更像急着翻身的赌徒。更大掩模若不能落地，摩尔定律叙事的下一章就得看阿斯麦一个人的工程能力了。
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