三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产

📋总体概括

三星电子与阿斯麦宣布深化战略合作，计划在2028年前首次将高数值孔径EUV光刻技术应用于DRAM大规模生产，同时加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划。三星称12英寸光罩可提升晶圆厂生产效率、降低制造成本并减少光罩拼接限制；高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线，以更高分辨率简化工艺。这是高NA EUV在存储芯片领域的首个明确量产时间表，标志先进光刻与存储制造深度绑定。