资讯

阿斯麦与台积电推动高NA EUV光罩向12英寸升级,计划2031年建立试产线

36氪快讯·2026/9/8 06:09:12🔗 原文

📋总体概括

阿斯麦与台积电宣布成立行业合作计划,将高数值孔径(High NA)EUV光刻的光罩从6英寸升级到12英寸,目标是提高晶圆厂生产效率、降低制造成本并消除拼接限制。双方计划2031年建立12英寸光罩试产线,2033年推动12英寸高NA EUV系统进入先进制程量产;台积电预计自2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术。此举为1nm以下节点光刻生态提前铺路。

关键信息

  • 阿斯麦与台积电成立行业合作计划,推动High NA EUV光罩由6英寸升级至12英寸
  • 计划2031年建立12英寸光罩试产线,2033年实现12英寸高NA EUV系统先进制程量产
  • 台积电预计自2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术
  • 升级光罩尺寸旨在提高晶圆厂效率、降低芯片成本并消除拼接限制

🔥犀利点评

光罩从6英寸跳到12英寸,本质是High NA EUV曝光场缩小后的必然补救——单次曝光覆盖不了,就只能拼或者换更大的画布。拼接工艺良率和对准精度是坑,ASML干脆联合台积电把基础设施连锅端了。时间表卡在2030-2033,说明双方已把1nm后的路线图押在High NA上,这场豪赌里台积电没有备选方案。

本文由本站自动聚合,以下为原始来源:前往 36氪快讯 阅读全文